Segons ha informat l'Irec en un comunicat, el projecte, iniciat el setembre del 2011, ha contribuït a la implementació industrial de tecnologies fotovoltaiques basades en processos electroquímics i nous materials semiconductors CIGS (l'acrònim en anglès de Coure, Indi, Gal·li i Seleni), i ha permès obtenir un rècord mundial d'eficiència del 17,3% per cel·les CIGS fabricades mitjançant rutes químiques.
Les tecnologies CIGS, de capa fina, constitueixen una alternativa a les cel·les fotovoltaiques de silici cristal·lí en zones amb radiació solar difusa, i faciliten la integració fotovoltaica en edificis (BIPV). A més, tenen un alt potencial per a la reducció de costos de fabricació, permeten arribar a un alt rendiment de producció a baix cost, i suposen un menor consum d'energia, pel que poden resultar útils per desenvolupar noves aplicacions que s'adaptin a diferents tipus d'edificis.
El projecte 'Inducis' ha contribuït a l'intercanvi entre els investigadors de Nexcis i Irec, i ha permès ampliar el coneixement sobre els processos de fabricació de dispositius fotovoltaics.