La Generalitat ha adjudicat la redacció del projecte d’enginyeria bàsic per a la construcció del primer centre de disseny, desenvolupament i prototipatge de xips de Catalunya per un import de 2,6 milions d'euros, segons ha avançat el diari Ara i ha pogut confirmar l’ACN de fonts del Departament d’Economia i Finances. Es tracta del projecte InnoFAB i el grup enginyer IDP s’ha endut el contracte i a l’abril d’enguany haurà de presentar la seva proposta. El nou espai es construirà al Parc de l’Alba, a Cerdanyola del Vallès, sobre una superfície d’uns 22.000 metres quadrats, per on es repartiran els tres edificis del nou centre. En total, es preveu una inversió de 400 milions d’euros i compta amb finançament dels fons Next Generation.
InnoFAB està emmarcat dins del Perte Xip i l'European Chips Act i el Govern va donar llum verda a aquest projecte a principis d’abril del 2025, amb l’objectiu de convertir Catalunya en “un actor clau” en el desenvolupador de semiconductors avançats. El projecte va destinat a oferir un entorn únic per a empreses emergents i en l'àmbit dels semiconductors, que potenciï les seves capacitats de fabricació i acceleri l'adopció de noves solucions i productes per a tots els sectors i tipus d'empresa, incloent-hi pimes i gran empresa.
D’altra banda, els projectes executius i constructiu d’InnoFAB, previsiblement, s’haurien d’adjudicar a l’estiu del 2026. El futur centre està impulsat pel Departament d'Economia i Finances i el Departament de Recerca i Universitats.