La Generalitat ha donat llum verda a la constitució de la Fundació InnoFAB que ha de servir per a la creació del primer centre de semiconductors avançats de Catalunya. Funcionarà com una entitat sense ànim de lucre, que s’inscriurà dins de l’àmbit del sector públic del Govern. Aquest projecte persegueix la recerca i el desenvolupament per fer aplicacions estratègiques en sectors com l’electrònica, la salut i l’energia, entre d’altres. La infraestructura es construirà en “una sala blanca” de 2.000 metres quadrats al Parc de l’Alba, a Cerdanyola del Vallès. En aquest espai es podran escalar processos de fabricació de xips en un entorn industrial.
La inversió és de 400 milions d’euros, 3,5 dels quals es van aprovar a l’abril per licitar el projecte d’enginyeria aquest mateix 2025. A més, compta amb finançament europeu a través dels fons Next Generation. La iniciativa s’emmarca en el Perte Xip i l’European Chips Act, que busquen reforçar l’autonomia tecnològica del continent.
En aquest espai es podran escalar processos de fabricació de xips en un entorn industrial.
La Fundació InnoFAB executarà i gestionarà el projecte i el president i vicepresident del patronat seran els consellers de Recerca i Universitats i d’Economia i Finances, respectivament. La resta de l’equip el formaran consellers dels departaments de Recerca i Universitats, Economia i Finances, Presidència i Empresa i Treball. També hi haurà tres persones de “reconegut prestigi” en el camp de la recerca, proposats per l’Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia.
El projecte busca “consolidar Catalunya com un nucli potent de disseny, desenvolupament i prototipatge de xips” a la Unió Europea. La Generalitat considera que InnoFAB serà “clau” per proporcionar un sistema únic per atraure talent, emprenedors i start-ups d’alta tecnologia i petites i mitjanes empreses.