La Generalitat ha dado luz verde a la constitución de la Fundacin InnoFAB que debe servir para la creación del primer centro de semiconductores avanzados de Catalunya. Funcionará como una entidad sin ánimo de lucro, que se inscribirá dentro del ámbito del sector público del Govern. Este proyecto persigue la investigación y el desarrollo para realizar aplicaciones estratégicas en sectores como la electrónica, la salud y la energía, entre otros. La infraestructura se construirá en “una sala blanca” de 2.000 metros cuadrados en el Parc de l’Alba, en Cerdanyola del Vallès. En este espacio se podrán escalar procesos de fabricación de chips en un entorno industrial.
La inversión es de 400 millones de euros, 3,5 de los cuales se aprobaron en abril para licitar el proyecto de ingeniería este mismo 2025. Además, cuenta con financiación europea a través de los fondos Next Generation. La iniciativa se enmarca en el Perte Chip y el European Chips Act, que buscan reforzar la autonomía tecnológica del continente.
En este espacio se podrán escalar procesos de fabricación de chips en un entorno industrial.
La Fundació InnoFAB ejecutará y gestionará el proyecto y el presidente y vicepresidente del patronato serán los consejeros de Investigación y Universidades y de Economía y Finanzas, respectivamente. El resto del equipo lo formarán consejeros de los departamentos de Investigación y Universidades, Economía y Finanzas, Presidencia y Empresa y Trabajo. También habrá tres personas de “reconocido prestigio” en el campo de la investigación, propuestos por el Instituto Catalán de Nanociencia y Nanotecnología.
El proyecto busca “consolidar Catalunya como un núcleo potente de diseño, desarrollo y prototipado de chips” en la Unión Europea. La Generalitat considera que InnoFAB será “clave” para proporcionar un sistema único para atraer talento, emprendedores y start-ups de alta tecnología y pequeñas y medianas empresas.