El Govern ha dado un paso más con el primer centro de semiconductores avanzados de Catalunya y este lunes ha constituido el patronato de la Fundación InnoFAB, la entidad sin ánimo de lucro encargada de poner en marcha el proyecto. La infraestructura se ubicará en el Parc de l'Alba, en Cerdanyola de Vallès, se repartirá en tres edificios con una superficie de unos 22.000 metros cuadrados y contará con una inversión cercana a los 400 millones de euros. El acto de constitución del patronato de la Fundación InnoFAB ha contado con la participación de los consejeros de la Presidencia, Albert Dalmau, de Economía y Finanzas, Alícia Romero; de Empresa y Trabajo, Miquel Sàmper; y de Investigación y Universidades, Núria Montserrat, así como el director general de Fondos Europeos, Aleix Cubells.
Los proyectos ejecutivo y constructivo de InnoFAB deberían adjudicarse, previsiblemente, durante el verano de 2026.
A principios de enero, la Generalitat adjudicó por 2,6 millones al grupo IDP el proyecto de ingeniería básico para la construcción de este centro de semiconductores avanzados. El proyecto quiere convertir Catalunya en un "actor clave" y va destinado a ofrecer un entorno único para empresas emergentes y empresas en el ámbito de los semiconductores, que potencie sus capacidades de fabricación y acelere la adopción de nuevas soluciones y productos para todos los sectores y tipos de empresa, incluyendo pymes y gran empresa. Los proyectos ejecutivo y constructivo de InnoFAB deberían adjudicarse, previsiblemente, durante el verano de 2026.
El pasado mes de marzo, el Govern dio luz verde a la firma de un convenio entre la Generalitat y el Estado para impulsar, desarrollar y ejecutar el proyecto Innofab en Catalunya. Según el acuerdo, la propuesta representa una inversión de 398 millones de euros. El Estado aportará 60 millones de euros procedentes del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia; la Generalitat invertirá 193, y se añadirá un préstamo complementario de 145 millones. El convenio, que tendrá una vigencia inicial de cuatro años prorrogables cuatro años más, también prevé la creación de una comisión de seguimiento.
El nuevo centro contará con tres edificios: el FAB (10.600 metros cuadrados distribuidos en cuatro plantas), otro de oficinas y laboratorios (7.300 metros cuadrados) y uno auxiliar de servicios (4.000 metros cuadrados). En total, una superficie construida de cerca de 22.000 metros cuadrados. También dispondrá de una sala blanca de más de 2.000 desde donde se podrán escalar procesos de fabricación de chips al ámbito industrial. El objetivo es hacer de Innofab una infraestructura para el desarrollo de semiconductores y, junto con el Sincrotró Alba y el Barcelona Supercomputing Center (BSC), situar Catalunya entre las 50 regiones más innovadoras de la Unión Europea.